All Writings

ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স (GaN, SiC, Diamond), বালিগা ফিগার অব মেরিট, ডায়মন্ড নাইট্রোজেন-ভ্যাকেন্সি (NV) স্পিন কিউবিট এবং সিলিকন কোয়ান্টাম প্রসেসর।

পরমাণু-পাতলা ট্রানজিশন মেটাল ডাইক্যালকোজেনাইড (MoS2, WSe2), ইনভার্সন প্রতিসাম্যহীনতা, স্পিন-ভ্যালি লকড গতিবিদ্যা এবং ফ্ল্যাট-ব্যান্ড মোয়ারে কোয়ান্টাম পদার্থ।

কোয়ান্টাম স্পিন হল প্রভাব, রিলেটিভিস্টিক স্পিন-অরবিট কাপলিং, বাল্ক ব্যান্ড ইনভার্সন, Z2 টপোলজিক্যাল সূচক এবং স্পিন-ভরবেগ লকড ভরহীন ডিরাক সারফেস স্টেট।

সেমিকন্ডাক্টরে যুগল থার্মোইলেক্ট্রিক পরিবহন, বোল্টজম্যান পরিবহন সমীকরণ, ওনসাগারের সময়-বিপরীত প্রতিসাম্য, সিব্যাক ও পেল্টিয়ার সহগ এবং থার্মোইলেক্ট্রিক ফিগার অব মেরিট ZT।

সেমিকন্ডাক্টরে অপটিক্যাল শোষণের কোয়ান্টাম মেকানিক্স, ফার্মির গোল্ডেন রুল, ডিরেক্ট বনাম ইনডিরেক্ট ফোনন-সহায়ক রূপান্তর এবং ওয়ানিয়ার-মট এক্সাইটন তত্ত্ব।

ন্যানোস্ট্রাকচারে মাত্রিক স্কেলিং: বাল্ক থ্রি-ডি, কোয়ান্টাম ওয়েল টু-ডি, কোয়ান্টাম ওয়্যার ওয়ান-ডি এবং শূন্যমাত্রিক কৃত্রিম পরমাণু কোয়ান্টাম ডটের ডেল্টা স্টেট ডেনসিটি।

একমাত্রিক পটেনশিয়াল ওয়েলে কোয়ান্টাম আবদ্ধতা, সিঁড়ির ন্যায় দ্বিমাত্রিক স্টেট ডেনসিটি, ল্যান্ডাউ লেভেল এবং ক্লাউস ফন ক্লিটসিংয়ের কোয়ান্টাম হল প্রভাব।

এমওএস ক্যাপাসিটরের ইলেকট্রোস্ট্যাটিক্স: অ্যাকুমুলেশন, ডিপ্লেশন, শক্তিশালী ইনভার্সন স্তর, থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ প্রতিপাদন এবং মসফেটের গ্র্যাজুয়াল চ্যানেল সমীকরণ।

মেটাল-সেমিকন্ডাক্টর সংযোগের শটকি-মট নীতি, থার্মায়োনিক নিঃসরণ পরিবহন, মেটাল-ইনডিউসড গ্যাপ স্টেট (MIGS) দ্বারা ফার্মি-লেভেল পিনিং এবং ওহমিক সংযোগে কোয়ান্টাম টানেলিং।

সেমিকন্ডাক্টর ইন্টারফেসে ব্যান্ডগ্যাপ ইঞ্জিনিয়ারিং, টাইপ-১, টাইপ-২ ও টাইপ-৩ ব্যান্ড বিন্যাস, অ্যান্ডারসনের ইলেকট্রন অ্যাফিনিটি নীতি এবং টুডিইজি কনফাইনমেন্ট।