১৯৭১ সালে ইউসি বার্কলির গবেষক লিওন চুয়া তাত্ত্বিকভাবে প্রমাণ করেন যে রোধক (Resistor), ধারক (Capacitor) এবং আবেশকের (Inductor) পাশাপাশি সার্কিটের একটি চতুর্থ মৌলিক উপাদান থাকা আবশ্যক—যার নাম মেমরিস্টর (Memristor)। ২০০৮ সালে এইচপি ল্যাবসে এটি বাস্তবে আবিষ্কৃত হয়। বর্তমানে রেজিস্টিভ র্যাম (RRAM) এবং ফেজ চেঞ্জ মেমরি (PCM) ক্রসবার অ্যারের মাধ্যমে মেমরির ভেতরেই অ্যানালগ ভেক্টর-ম্যাট্রিক্স গুণন (VMM) সম্পন্ন করা হচ্ছে—যা কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তার গতিকে লক্ষ গুণ বাড়িয়ে দিয়েছে।

১. লিওন চুয়া’র মেমরিস্টর তত্ত্ব

মেমরিস্টর এমন একটি পরিবর্তনশীল রোধক যা এর মধ্য দিয়ে অতীতে প্রবাহিত মোট চার্জের স্মৃতি ধারণ করতে পারে:

[
v(t) = M(q) , i(t)
]

বিদ্যুৎ সংযোগ বিচ্ছিন্ন করলেও এর রোধের মান অক্ষত থাকে, ফলে এটি নন-ভোলাটাইল ন্যানো-মেমরি হিসেবে কাজ করে।

২. ওহম ও কার্শফের সূত্রের মাধ্যমে অ্যানালগ ম্যাট্রিক্স গুণন

একটি ক্রসবার অ্যারেতে আনুভূমিক লাইনে ভোল্টেজ (V_i) প্রয়োগ করলে মেমরিস্টরের পরিবাহিতা (G_{ij})-এর সাথে ওহমের সূত্রে গুণিত হয়ে কারেন্ট উৎপন্ন হয়: (I_{ij} = V_i G_{ij})। উলম্ব লাইনে কার্শফের কারেন্ট সূত্র অনুযায়ী সকল কারেন্ট যোগ হয়ে যায়:

[
I_j = sum_{i=1}^M V_i G_{ij}
]

ডিজিটাল প্রসেসরের শত শত ক্লক সাইকেলের পরিবর্তে মাত্র একটি পদক্ষেপে ((mathcal{O}(1))) বিশুদ্ধ পদার্থবিজ্ঞানের নিয়মে বিশাল ম্যাট্রিক্স গুণন সম্পন্ন হয়।